IRF6706S2TR1PBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

Vaizdas gali būti atvaizdavimas. Žr. Produkto detalių specifikacijas.

Produkto peržiūra

Dalies numeris:	IRF6706S2TR1PBF
Gamintojas / Gamintojas:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Prekės aprašymas	MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
Duomenų lapai:	IRF6706S2TR1PBF.pdf
RoHs statusas	Švinas nemokamai / RoHS atitiktis
Akcijų būklė	44719 pcs stock
Laivas iš	Honkongas
Siuntimo būdas	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 44719 pcs

standartinė kaina (JAV doleriais)

1 pcs: $0.85

10 pcs: $0.769

100 pcs: $0.618

500 pcs: $0.481

Užklausos citata: Prašome užpildyti visus reikiamus laukus su savo kontaktine informacija. Spustelėkite „ SUBMIT RFQ “, mes netrukus susisieksime su jumis elektroniniu paštu. Arba rašykite mums:Info@infinity-electronic.com

Tikslinė kaina:(USD)
Kiekis:

Iš viso:$0.85

Nurodykite mums savo tikslinę kainą, jei kiekiai yra didesni nei rodomi.

Dalies numeris
Įmonės pavadinimas
Kontaktinis vardas
El. Paštas
Pranešimas

IRF6706S2TR1PBF specifikacijos

Dalies numeris	IRF6706S2TR1PBF	Gamintojas	International Rectifier (Infineon Technologies)
apibūdinimas	MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1	"Lead Free Status / RoHS" statusas	Švinas nemokamai / RoHS atitiktis
Galimas kiekis	44719 pcs	Duomenų lapas	IRF6706S2TR1PBF.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA	Vgs (maks.)	±20V
Technologija	MOSFET (Metal Oxide)	Tiekėjo prietaisų paketas	DIRECTFET S1
Serija	HEXFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 17A, 10V
Maitinimo pasipriešinimas (maks.)	1.8W (Ta), 26W (Tc)	Pakuotė	Original-Reel®
Paketas / dėžutė	DirectFET™ Isometric S1	Kiti vardai	IRF6706S2TR1PBFDKR
Darbinė temperatūra	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montavimo tipas	Surface Mount
Drėgmės jautrumo lygis (MSL)	1 (Unlimited)	"Lead Free Status / RoHS" statusas	Lead free / RoHS Compliant
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds	1810pF @ 13V	Vartai (Qg) (maks.) @ Vgs	20nC @ 4.5V
FET tipas	N-Channel	FET funkcija	-
Važiavimo įtampa (maks. RDS, min. RDS)	4.5V, 10V	Išleidimo į šaltinio įtampą (Vdss)	25V
Išsamus aprašymas	N-Channel 25V 17A (Ta), 63A (Tc) 1.8W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1	Dabartinis - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 ° C	17A (Ta), 63A (Tc)

Siuntimas
Po išpardavimų
Duomenų lapai

★ NEMOKAMAI SHIPPING VIA DHL / FEDEX / UPS Jei užsakote daugiau nei 1000 JAV dolerių.
(TIK TIKSTA integriniams grandynams, grandinės apsaugai, RF / IF ir RFID, optoelektronika, jutikliai, keitikliai, transformatoriai, izoliatoriai, jungikliai, relės)

FEDEX	www.FedEx.com	Nuo $ 35.00 pagrindinio pristatymo mokesčio priklauso nuo zonos ir šalies.
DHL	www.DHL.com	Nuo $ 35.00 pagrindinio pristatymo mokesčio priklauso nuo zonos ir šalies.
UPS	www.UPS.com	Nuo $ 35.00 pagrindinio pristatymo mokesčio priklauso nuo zonos ir šalies.
TNT	www.TNT.com	Nuo $ 35.00 pagrindinio pristatymo mokesčio priklauso nuo zonos ir šalies.

★ DHL / UPS / FEDEX / TNT pristatymo laikas reikės 2-4 dienos visame pasaulyje.

Nedvejodami kreipkitės į mus, jei turite kokių nors klausimų apie siuntą. Rašykite mums el Info@infinity-electronic.com

PO PARDAVIMO GARANTIJOS

Kiekvienam Infinity-Semiconductor.com produktui buvo suteiktas 1 metų garantinis laikotarpis. Šiuo laikotarpiu galėtume teikti nemokamą techninę priežiūrą, jei kyla problemų dėl mūsų gaminių.
Jei gausite kokybiškas problemas, susijusias su mūsų produktais, jas gavus, galite išbandyti ir kreiptis dėl besąlygiško grąžinimo, jei galima įrodyti.
Jei produktai yra sugedę arba jie neveikia, galite sugrįžti pas mus per 1 metus, visi krovinių gabenimo ir muitinės mokesčiai tenka mums.

Susijusios žymės

International Rectifier (Infineon Technologies) IRF6706S2TR1PBF
IRF6706S2TR1PBF platintojas
IRF6706S2TR1PBF tiekėjas
IRF6706S2TR1PBF Kaina
IRF6706S2TR1PBF Nuotraukos
IRF6706S2TR1PBF vaizdas
IRF6706S2TR1PBF PDF duomenų lapas
IRF6706S2TR1PBF Atsisiųsti duomenų lapą
IRF6706S2TR1PBF duomenų lapas
IRF6706S2TR1PBF atsargos
Pirkite IRF6706S2TR1PBF
Pirkti International Rectifier (Infineon Technologies) IRF6706S2TR1PBF
International Rectifier (Infineon Technologies) IRF6706S2TR1PBF
International Rectifier (Infineon Technologies) tiekėjas
International Rectifier (Infineon Technologies) platintojas
International Rectifier (Infineon Technologies) IRF6706S2TR1PBF
International Rectifier IRF6706S2TR1PBF
Infineon Technologies IRF6706S2TR1PBF
International Rectifier (Infineon Technologies) IRF6706S2TR1PBF
IR (Infineon Technologies) IRF6706S2TR1PBF

Susiję produktai

: IRF6702M2DTRPBF; Gamintojai: International Rectifier (Infineon Technologies); apibūdinimas: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET; Sandelyje: 5234 pcs; parsisiųsti: IRF6702M2DTRPBF.pdf; RFQ

: IRF6702M2DTR1PBF; Gamintojai: International Rectifier (Infineon Technologies); apibūdinimas: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET; Sandelyje: 6787 pcs; parsisiųsti: IRF6702M2DTR1PBF.pdf; RFQ

: IRF6708S2TR1PBF; Gamintojai: International Rectifier (Infineon Technologies); apibūdinimas: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV; Sandelyje: 3880 pcs; parsisiųsti: IRF6708S2TR1PBF.pdf; RFQ

: IRF6710S2TR1PBF; Gamintojai: International Rectifier (Infineon Technologies); apibūdinimas: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET; Sandelyje: 5676 pcs; parsisiųsti: IRF6710S2TR1PBF.pdf; RFQ

: IRF6691TRPBF; Gamintojai: International Rectifier (Infineon Technologies); apibūdinimas: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET; Sandelyje: 3993 pcs; parsisiųsti: IRF6691TRPBF.pdf; RFQ

: IRF6709S2TR1PBF; Gamintojai: International Rectifier (Infineon Technologies); apibūdinimas: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1; Sandelyje: 4074 pcs; parsisiųsti: IRF6709S2TR1PBF.pdf; RFQ

: IRF6678TRPBF; Gamintojai: International Rectifier (Infineon Technologies); apibūdinimas: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET; Sandelyje: 24622 pcs; parsisiųsti: IRF6678TRPBF.pdf; RFQ

: IRF6708S2TRPBF; Gamintojai: International Rectifier (Infineon Technologies); apibūdinimas: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV; Sandelyje: 4522 pcs; parsisiųsti: IRF6708S2TRPBF.pdf; RFQ

: IRF6691TR1PBF; Gamintojai: International Rectifier (Infineon Technologies); apibūdinimas: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET; Sandelyje: 3850 pcs; parsisiųsti: IRF6691TR1PBF.pdf; RFQ

: IRF6709S2TRPBF; Gamintojai: International Rectifier (Infineon Technologies); apibūdinimas: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1; Sandelyje: 4962 pcs; parsisiųsti: IRF6709S2TRPBF.pdf; RFQ

: IRF6691TR1; Gamintojai: International Rectifier (Infineon Technologies); apibūdinimas: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET; Sandelyje: 4987 pcs; parsisiųsti: IRF6691TR1.pdf; RFQ

: IRF6706S2TRPBF; Gamintojai: International Rectifier (Infineon Technologies); apibūdinimas: MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1; Sandelyje: 4668 pcs; parsisiųsti: IRF6706S2TRPBF.pdf; RFQ

Pramonės naujienos

Rohm prideda 10 automobilių SiC MOSFET: „SCT3xxxxxHR serijos įdiegimas leidžia„ Rohm “pasiūlyti didžiausią AEC-Q101 kvalifikuotų Si...

ON prideda SiC MOSFET: „ON Semiconductor“ pristatė du „SiC MOSFET“, skirtus EVS, saulės ir UPS programoms. Pramonės ...

APEC: TI mano, kad šoninė plokštė su AC-DC yra 15 mW budėjimo režimu: „Šis prietaisas pasiekia geriausią pusiausvyrą tarp didelio efektyvumo ir itin mažo triukšmo, ...

Rėmėjų turinys: SIGLENT SVA1015X spektro analizatorius: SIGLENT SVA1015X spektro analizatorius yra labai galingas ir lankstus įrankis įvairiems matavimams...

Tikimasi, kad šių metų pusmetinės įrangos išlaidos sumažės 14% ir kitais metais išaugs 27%: Dėl 2019 m. Nuosmukio atminties sektoriaus sulėtėjimo pabaigoje trunka trejų metų augimo fab į...

„Power Stamp Alliance“ sumažina pagrindinio procesoriaus poreikį stebėti PSU ir prideda atskaitos dizainą: Aljansas („Artesyn Embedded Technologies“, „Bel Power Solutions“, „Flex“ ir „STMicroelectroni...

APEC: SiC galia ir patobulinti debesų pagrindu veikiantys įrankiai: Paieškos galimybės buvo patobulintos ir yra karuselinio stiliaus meniu, leidžiantis pasirinkti su...

Dengrove prideda erdvinio taupymo DC / DC keitiklių iš „Recom“: Jie skirti naudoti didelės galios tankio ir didelio efektyvumo srityse, kurių galia yra nuo 3,3 W ...

Pirmasis karinės kvalifikacijos „Arm“ procesorius, skirtas „hi-rel“ programoms: LS1046A yra „NXP“ 64 bitų „Arm Layerscape“ portfelio dalis su 1.8GHz keturių branduolių „Arm...

Pasirinkite savo šalį ar regioną.